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中国纳米科技发展总体水平已居世界第一梯队

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随着科学技术的不断进步,纳米技术作为一项前沿领域的新兴技术,正在引起全球范围内的广泛关注。作为一个拥有庞大人口和强大科技实力的国家,中国在纳米技术领域也取得了长足的发展。本文将从中国纳米技术的起源、发展现状和前景展望三个方面进行阐述。中国纳米技术的起源可以追溯到上世纪80年代中期。当时,中国科学家开始在材料科学和化学领域进行纳米材料的研究,并取得了一系列突破性进展。这些早期的研究成果为中国纳米技术的发展奠定了坚实的基础。

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随着时间的推移,中国纳米技术在各个领域得到了广泛应用。在材料科学领域,纳米材料的研究已经成为热点。通过控制纳米材料的粒径和结构,科学家们成功地改善了材料的性能,使其具有更好的力学性能、光学性能和电学性能。这些纳米材料广泛应用于新能源、环境保护、电子器件等领域,为我国的科技创新和产业发展提供了强大的支撑。

在生物医药领域,纳米技术的应用也取得了显著的成果。纳米药物可以通过改变药物的释放速率和靶向性,提高药物的疗效和降低副作用。中国科学家们利用纳米技术开发了一系列新型药物载体和靶向给药系统,成功地应用于抗癌、抗菌和基因治疗等领域。这些纳米药物的研究成果不仅提高了我国医疗水平,还为我国的生物医药产业发展带来了巨大的商机。

在能源领域,纳米技术也发挥着重要作用。纳米材料在太阳能电池、燃料电池和储能设备等领域具有广泛的应用前景。中国科学家们通过纳米技术改善了光电转换效率、提高了电池储能密度,并取得了一系列重要的技术突

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“从跟跑到领跑,我国纳米科技发展总体水平已进入世界第一梯队,在纳米催化、纳米孔材料、极限测量、碳基芯片等基础研究领域世界领先。”11月22日,中国科学院院士、大湾区科学论坛主席、中国科学院原院长白春礼在《财经》年会2024上表示,纳米科技正在成为各领域的重要支撑,包括助力先进材料与制造,导向未来信息科技,护航人民生命健康,驱动绿色能源发展、保障生态环境等。

中国纳米技术在过去几十年取得了令人瞩目的发展成就,为我国的科技创新和产业发展做出了重要贡献。随着纳米技术的不断突破和应用,相信中国纳米技术的未来将会更加光明。我们期待着中国纳米技术在能源、环境、医药等领域继续取得新的突破,为构建创新型国家和美丽中国贡献更多力量。

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接上期,我们说到半导体制造材料,制造材料可以分为以下几类:晶圆材料(硅片),靶材,CMP 抛光材料、光刻胶、高纯试剂、电子特种气体、光掩膜等,硅片、光掩模、光刻胶、气体四种材料占整体比例 2/3 以上。由于晶圆材料内容较多,我们单列出来介绍。

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半导体经过近百年的发展后,形成了三代半导体晶圆材料。第一代半导体材料主要是指硅、锗元素等单质半导体材料第二代半导体材料主要是指二元/三元化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、GaAsAl、GaAsP 等第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。各种半导体材料形成互补关系,Si 适用于数字逻辑芯片、存储芯片等,GaN、GaAs、InP 适用于高频领域,SiC 适用于高压领域。

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全球主要半导体原材料各细分领域产值对比

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(此内容待续,关注下期更新)

本期,为大家带来的仪器是钨灯丝扫描电子显微镜(SEM3200),S-3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯 丝扫描电子显微镜。 拥有出色的成像质量、可兼容低真空模式、在不同 的视场范围下均可得到高分辨率图像。大景深,成像富 有立体感。丰富的扩展性,助您在显微成像的世界中尽 情探索。

产品优势(*为选配件)

丰富的扩展性 SE\BSE\EDS\EBSD等

光学导航 可快速定位目标样品和 感兴趣区域

*大图拼接 可实现全自动的采图和拼接, 展示超大视野画面

图像混合成像(SE+BSE) 在一个图像中观察到样品的 成分和表面信息

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*低真空模式 在低真空下提供样品表面细节和 形貌,软件一键切换真空状态

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S-3200实物图

S-3200规格参数

电子枪类型:预对中型发叉式钨灯丝电子枪
分辨率:高真空:3 nm @ 30 kV(SE)

4 nm @ 30 kV(BSE) 

8 nm @ 3 kV(SE)

低真空:3 nm @ 30 kV(SE)

放大倍率:

1~300,000x(底片倍率)

1~1000,000x(屏幕倍率)

加速电压:0.2 kV~30 kV


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